芯片的背部减薄制程
磊晶之后的蓝宝石基板就成为了外延片，外延片在经过蚀刻、蒸镀、电极制作、保护层制作等一系列复杂的半导体制程之后，太阳能组件回收，还需要切割成一粒粒的芯片，根据芯片的大小，朝阳组件回收，一片2英寸的外延片可以切割成为数千至上万个CHIP。前文讲到此时外延片的厚度在430um附近，由于蓝宝石的硬度以及脆性，普通切割工艺难以对其进行加工。目前普遍的工艺是将外延片从430um减薄至100um附近，然后再使用镭射进行切割。
电池片的种类
1、太阳能
在太阳能电池产品中，以硅半导体材料为主，其中又以单晶硅和多晶硅为代表。由于其原材料的广泛性，较高的转换效率和可靠性，被市场广泛接受。非晶硅在民用产品上也有广泛的应用（如电子手表，计算器等），但是它的稳定性和转换效率劣于结晶类半导体材料。化合物太阳能电池由于其材料的稀有性和部分材料具有公害，现阶段未被市场广泛采用。太阳能电池的主品的材料是半导体硅，是现代电子工业的的材料，同时以氧化状态的硅原料是世界上第二大的储藏物质。
2、五金
五金电池片主要是导电作用。还称：电池片、遥控器电池片、电池接触片、电池弹、电池扣、锅仔片、、接触片、弹片、弹、电池夹片，电极片。主要用于遥控器、电子玩具、计算器、计步器、麦克风、电话机、录音机、收音机、音响、照相机、灯饰等行业。
镀减反射膜
抛光硅表面的反射率为35%，多晶组件回收，为了减少表面反射，提高电池的转换效率，需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH4和NH3，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。
硅片是半导体材料的基石，它是先通过拉单晶制作成硅棒，然后切割制作成的。由于硅原子的价电子数为4，序数适中，所以硅元素具有特殊的物理化学性质，可用在化工、光伏、芯片等领域。特别是在芯片领域，组件板回收，正式硅元素的半导体特性，使其成为了芯片的基石。在光伏领域，可用于太阳能发电。而且地球的地壳中硅元素占比达到25.8%，开采较为方便，可回收性强，所以价格低廉，进-步增强了硅的应用范围。
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