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影响因素
1 ．频率
射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ >4MHz）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。
2 ．射频功率
增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。
3 ．衬底温度
PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。
4 ．气体流量
影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20（体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。
5 ．反应气体浓度
SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响。
理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。
6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数
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4. 刮胶角度的影响
刮胶角度的调节范围为45-75度。实际的刮胶角度与浆料有关，浆料黏度越高，流动性越差，需要刮胶对浆料向下的压力越大，刮胶角度接就越小。在印刷压力作用下，刮胶与丝网摩擦。开始一刷时近似直线，刮胶刃口对丝网的压力很大，随着印刷次数增加，刃口呈圆弧形，作用于丝网单位面积的压力明显减小，刮胶刃口处与丝网的实际角度小于45度，易使印刷线条模糊，组件回收价格，粘网。在可调范围内，减小刮胶角度，下墨量增加，湿重加大。刮胶刃口钝，下墨量多，线宽大。
5. 浆料黏度的影响
印刷时浆料黏度的变化（触变性）如右图所示：
浆料的黏度与流动性呈反比，黏度越低，流动性越大，可在一定程度保证印刷的质量。浆料黏度过大，透墨性差，印刷时易产生桔皮、小孔。浆料黏度过小，印刷的图形易扩大（栅线膨胀），产生气泡、毛边。
6. 纱厚、膜厚的影响
一般情况下，丝网目数越低，线径越粗，印刷后的浆料层越高，因此丝网目数较高时，印刷后浆料层就低一些。对于同目数的丝网，纱厚越厚，透墨量越少。在一定范围内，感光胶膜越厚，下墨量越大，印刷的栅线越高。但膜厚增大，易造成感光胶脱落。
7. 印刷台面的影响
印刷台面的水平度：印刷时电池片被吸附于印刷台面，组件价格，若台面不平，电池片在负压下易裂。一般电池片水平度应小于 0.02mm。印刷台面与网版的平行度：决定了印刷浆料的一致性。一般二者平行度应小于 0.04mm。印刷台的重复定位精度：太阳能电池片印刷台的重复定位精度需达到 0.01mm 。
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STF 印制：
1级：
标识要有虚印、粗印现象（字母线宽度应小于 0.22mm ）但仍可辨识时作为1级。若标识存在缺印但仍可辨识时，按字母高度的 1/3 判定，缺失长度小于字母高度 1/3 。
B 级：
标识要有虚印、粗印现象，字母线宽度应小于 0.22mm ，但仍可辨识时，如实心“ P”，若标识存在缺印但仍可辨识时，按字母高度的
1/3 判定，缺失长度小于字母高度 1/3 。
C 级：
若字母变形或无法辨识时直接降为 C 级。
新的标准与旧的相同
缺陷片：
1． 主栅线或副栅线或背电极或背电场超出 c 级降级片的要求时，但仍有利用价值的片子。
2． 由于存储不当造成成电极氧化时，直接以报废片处理
3． 仅印刷烘干而没有经过烧结的电池片，如果还有利用价值，则租铺位缺陷片处理
4． 完全未印制背电场的电池片作缺陷片处理。
5． 叠片仍有利用价值的作为缺陷片，如果全叠片则作为报废片处理。
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