这几者相互关系是如何的？有木有计算方法？公式计算有吗？参是沒有，只能估计的值。啥意思？如今太阳能照明制造行业都没有规范，许多生产厂家全是自己的企业标志，因此沒有统一的计算方法，其次即使有，都是不合理的（对于为何，大伙儿去问百度知道）。但是依据工作经验，大伙儿能够测算，（因此事实胜于雄辩）。
例如，6V15W的太阳能板要给3.2V15Ah的蓄电池电池充电，要多久填满？再用理论值来计算6V15W的太阳能板较大輸出电流量=15W÷6V=2.5A，换句话说6V15W的太阳能板每小时能够輸出的较大电流量是2.5A，那麼填满15Ah的电池则必须，15Ah÷2.5A=6h，因此理论上讲，当你的太阳能板是6V15W，电池是3.2V15Ah，那麼理论电池充电时间这一事例是较为经济发展且有效的配对计划方案，6小时，具体会更长，将会在8小时上下。当然有键盘侠会问了，我也不可以用6V15W配3.2V20Ah吗？或是以便追求快速充电用6V30W配3.2V15Ah吗？
参是或许能够，假如用时，我大中华尽管地域辽阔，您在在哪里获得每日有充裕光照6V15W配3.2V20Ah，那麼理论电池充电時间将会超过8-10小10个小时的地区呢？（如今中国各省均值光照谷值但是才4.5小时）.更何况，假如电池长期不可以填满电，长期性没电，也会造成电池使用寿命的降低。那麼用6V30W配3.2V15Ah，理论上是能够在3小时内填满电，客退太阳能组件回收，但是这样一来，成本上升了许多，太阳能组件回收，有点儿因小失大。并且出自于销售市场的考虑到，大部分生产厂家也不容易选用这类计划方案，原因很简单，没盈利！
影响太阳能电池板效率的因素
6. 表面复合速率 :
低的表面复合速率有助于提高 Isc ， 前表面的复合速率测量起来很困难， 经常假设为无穷大。一种称为背电场（BSF）的电池设计为，在沉积金属接触前，电池的背面先扩散一层 P+附加层。
7. 串联电阻和金属栅线 :
串联电阻来源于引线、金属接触栅或电池体电阻，而金属栅线不能透过阳光，为了使Isc，金属栅线占有的面积应。一般使金属栅线做成又密又细的形状， 可以减少串联电阻，同时增大电池透光面积。
8. 采用绒面电池设计和选择优质减反射膜 :依靠表面金字塔形的方锥结构， 对光进行多次反射，不仅减少了反射损失，而且改变了光在硅中的前进方向并延长了光程， 增加了光生载流子产量； 曲折的绒面又增加了PN结的面积，从而增加对光生载流子的收集率，使短路电流增加 5%～ 10%，并改善电池的红光响应。
9. 阴影对太阳电池的影响 :
太阳电池会由于阴影遮挡等造成不均匀照射，输出功率大大下降。
目前 ，太阳能电池的应用已从军事领域、航天领域进入工业、商业、农业、通信、家用电器以及公用设施等部门，尤其可以分散地在边远地区、高山、沙漠、海岛和农村使用，以节省造价很贵的输电线路。但是在目前阶段，el测试不良太阳能组件回收，它的成本还很高，发出1kW电需要投资上万美元，因此大规模使用仍然受到经济上的限制。
但是，从长远来看，随着太阳能电池制造技术的改进以及新的光—电转换装置的发明，各国对环境的保护和对再生清洁能源的巨大需求，太阳能电池仍将是利用太阳辐射能比较切实可行的方法，可为人类未来大规模地利用太阳能开辟广阔的前景。
太阳能电池板能量转换的基本是半导体材料PN结的光生伏打效用。如前所述，当光照射半导体材料太阳能发电元器件处时，动能超过硅禁带宽度的光子美容越过减反射膜进到硅中，在N区、耗尽区和P区中激起出光生电子--空穴对。
耗尽区：光生电子--空穴对在耗尽区中造成后，马上被内建电场分离出来，光生电子被送入N区，光生空穴则被推动P区。依据耗尽类似标准，耗尽区界限处的载流子浓度值类似为0，即p=n=0。在N区中：光生电子--空穴对造成之后，光生空穴便向P-N结界限外扩散，一旦抵达P-N结界限，便马上遭受内建电场功效，被电场力牵引带作飘移健身运动，翻过耗尽区进到P区，二手旧太阳能组件回收，光生电子（多子）则被留到N区。
在P区中：的光生电子（少子）一样的先由于外扩散、后由于飘移而进到N区，光生空穴（多子）留到P区。这般便在P-N结两边产生了正、负电的累积，使N区存储了产能过剩的电子，P区有产能过剩的空穴。进而产生与内建电场方位反过来的光生电场。
1.光生电场除开一部分相抵势垒电场的功效外，还使P区带正电，N区带负电，在N区和P区中间的层析就造成电动势，这就是说光生伏打效用。当充电电池接好一负荷后，光电流就从P区经负荷流至N区，负荷中即获得输出功率輸出。
2.假如将P-N结两边引路，能够测出这一电动势，称作开路电压Uoc。对结晶硅充电电池而言，开路电压的典型值为0.5～0.6V。3.假如将外电路短路故障，则外电路中总有与入射光动能正比的光电流穿过，这一电流量称之为短路容量Isc。
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