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晶体硅电池片检验方法：
2 ） 外观目测：
a. 与表面成 35 °角日常光照情况下观察表面颜色，目视颜色均匀 一致，无明显色差花斑、水痕、手印、划痕及污垢。
b. 隐裂：电池片有隐裂、 肉眼可见的裂纹， 均视为不合格
c. 背面铝背电极完整，表面平整 、 边界清晰 、 无明显凸起的“铝珠 ，脱落 3mm 2 / 个 ≤ 5mm 2 、鼓泡累计面积≤5mm
2 ， 背面铝膜与基体材料的附着强度? 背膜烧结：用层压机 130 — 145 度，超过 10 分钟。冷却到室温后，用刀片隔开 1cm 的宽度，用大于 50N的拉力，铅膜不随 EVA 脱落，则认为合格。
d. 受光面栅线：主栅线均匀完整，栅线印刷清晰、对称；主栅线与细栅线处允许≤1mm ；细栅线允许≤ 2mm 的脱落；栅线印刷偏离，明显两次印刷的返工片视为不合格；断点的总数≤ 60mm。
e. 崩边：每一边不超过两处崩边，崩边间距≥ 30mm 、深度≤ 0.5片子厚度、面积≤ mm 2
f . 电池边缘缺角面积不超过 1mm 2 ，数量不超过 2个。缺角：一边有一处崩边，面积≤5mm 2 ，一边由两处崩边、面积≤3mm 2
g. 电池的崩边、钝形缺口等外形缺损的尺寸要求：长度不大于 1.5mm，由边缘向中心的深度不大于 0.5mm ，同一片电池上正面出现此类外形缺损数量不超过两处。同时不允许电池上 V 形缺口。
电池片各工艺流程危害要素及异常现象
4.NaOH产生金字塔式绒面。NaOH浓度值越高，金字塔式容积越小，反映前期，金字塔式成核相对密度类似没受NaOH浓度值危害，碱水溶液的腐蚀随NaOH浓度值转变比较显著，浓度值高的NaOH水溶液与硅体现的速率加速，再反映过段时间后，金字塔式容积更大。NaOH浓度值超出必须界线时，各向异性系数缩小，绒面会愈来愈差，类似打磨抛光。可控性水平：与IPA相近，线性度不高。
5.Na2SiO3SI和NaOH反映生产制造的Na2SiO3和添加的Na2SiO3能具有缓冲剂的功效，使反映不会很强烈，变的轻缓。Na2SiO3使反映拥有大量的起始点，生长发育出的金字塔式更匀称，更小一点儿Na2SiO3多的那时候要立即的排出去，Na2SiO3传热性差，会危害反映，水溶液的黏稠度也提升，非常容易产生水流、花蓝印和表层黑斑。可控性水平：没办法操纵。4酸洗钝化HCL除去硅片表层的金属材料残渣硫酸具备酸和络合剂的双向功效，硫酸盐能与多种多样金属材料正离子产生可溶解与水的络合物。6酸洗钝化HF除去硅片表层空气氧化层，SiO26HF=H2[siF6]2H2O。
基准点1．减薄量界定：硅片制绒前后左右的前后左右净重差。操纵范畴多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首篮减薄量在0.7±0.2g；之后减薄量在0.6±0.2g。2．绒面分辨规范：成核相对密度高，尺寸适度，匀称。
操纵范畴：多晶硅：金字塔式规格3~10um。3．外型无豁口，黑斑，裂痕，激光切割线，刮痕，凹痕，有没有白斑病，赃污。
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九、崩边、豁口、掉角
充电电池边沿崩边喝豁口
A级：其长短≤3mm，深度1≤0.5mm，总数≤2处
B级：其长短≤5mm，深度1≤1.0mm，总数≤3处
四边豁口
A级：规格≤1.5*1.5mm，总数≤1处
B级：规格≤2.0*2.0mm，总数≤1处
注：多晶硅A级和B级均不容许有三边形豁口和锐利行豁口，左右豁口都不能过电级(主栅线，副栅线)
超出B级范畴
多晶硅电池片超出了B级范畴，就立即做为缺点片。
多晶电池片超出了B级范畴，如合乎C级需切角片的规定，能作C级需切角片多
经容许边缘有豁口（包含三边形豁口和锐利行豁口），对边缘豁口听规定给出
125任意边缘破损≤18*18mm
150任意边缘破损≤8*8mm
156任意边缘破损≤14*14mm注：多晶电池片超过了C级片的规定，做为缺点片。彻底粉碎，无运用使用价值的做为报费片新的规范与旧的同样。
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